Управление выращиванием кристаллов лейкосапфира
https://doi.org/10.17587/mau.18.840-846
Аннотация
Разработана модель управления нагревом и скоростью вытягивания кристаллов лейкосапфира при выращивании из жидкого расплава. Модель работает в реальном масштабе времени, на современных контроллерах, обеспечивая плоский фронт кристаллизации кристалла во время всего процесса. Приведена структурная схема весовой системы управления для вытягивания кристаллов лейкосапфира на основе взвешивания убывающего расплава в тигле и получения сигнала управления в функции отклонения текущей площади кристалла от заданной.
Об авторе
С. П. Саханский
Сибирский государственный аэрокосмический университет науки и технологий имени академика М. Ф. Решетнева
Россия
Россия
Список литературы
1. Багдасаров Х. С. Высокотемпературная кристаллизация из расплава. М.: Физматлит, 2004. 160 c.
2. Клунникова Ю. В. Модель влияния параметров технологического процесса получения сапфира на качество кристаллов // Известия ЮФУ. Технические науки. 2010. № 7 (108). С. 198-203.
3. Bardsley W., Green G. W., Holliday C. H., Hurle D. T. J. Grystal Growth. 1972. vol. 16, no. 3, pp. 277-279.
4. Blumberg H., Reiche P., Watringer W. A. Czochralski crystal puller automated by the weighing metod // Crystal Research and Technology. 1981. vol. 10, no. 11, pp. 1323-1338.
5. Blumberg H., Reiche F. A. Czochralski crystal puller automated by the weghing technigue // Eur. Meet. Cryst. Growth., 82: Mater. Electron. Prague, Aug, 23-28, 1982, Usti nad Labem, s. a., pp. 51-52.
6. Шендерович И. Л., Шубский Г. И. Принципы построения систем управления процессом выращивания монокристаллов методом Чохральского // Научные труды Гиредмета. 1976. Т. 78. С. 111-115.
7. Саханский С. П. Управление температурой нагревателя на установке выращивания монокристаллов германия // Мехатроника. Автоматизация. Управление. 2008. № 1. C. 42-46.
8. Саханский С. П., Баркин C. М. Модель управления температурой при выращивании кремния // Вестник СибГАУ. 2010. Т. 3, Вып. 29. С. 149-153.
9. Саханский С. П., Якобсон М. Е. Модель управления скоростью вытягивания монокристаллов кремния // Вестник СибГАУ. 2010. Т. 5, Вып. 31. С. 254-258.
10. Саханский С. П. Управление скоростью вытягивания на установке выращивания монокристаллов германия // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. 2008. № 4. C. 7-11.
11. Саханский С. П. Управление температурой при выращивании монокристаллов германия // Автоматизация и современные технологии. 2009. № 3. С. 8-10.
12. Саханский С. П. Управление скоростью вытягивания при выращивании монокристаллов кремния // Мехатроника. Автоматизация. Управление. 2010. № 8. C. 37-39.
13. Саханский С. П. Модель управления формой при выращивании монокристаллов германия // Нано- и микросистемная техника. 2012. № 6. C. 2-5.
14. Саханский С. П. Задание температуры при выращивании монокристаллов кремния // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. 2011. № 2. C. 44-48.
15. Саханский С. П. Управление формой полупроводниковых кристаллов при выращивании по способу Чохральского // Журнал СФУ. Техника и технологии. 2014. Т. 7, Вып. 1. С. 20-31.
16. Саханский С. П. Управление процессом выращивания монокристаллов германия. Красноярск: Изд. СибГАУ, 2008. 104 с.
17. Благовещенский Ю. В. Вычисление элементарных функций на ЭВМ. Киев: Техника, 1977. 207 с.
18. Физические величины: Справочник / А. П. Бабичев, Н. А. Бабушкина, А. М. Братковский. М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 c. Control of Cultivation of Leicosapphir Crystals
Рецензия
Для цитирования:
Саханский С.П. Управление выращиванием кристаллов лейкосапфира. Мехатроника, автоматизация, управление. 2017;18(12):840-846. https://doi.org/10.17587/mau.18.840-846
For citation:
Sakhansky S.P. Control of Cultivation of Leicosapphir Crystals. Mekhatronika, Avtomatizatsiya, Upravlenie. 2017;18(12):840-846. (In Russ.) https://doi.org/10.17587/mau.18.840-846
Просмотров: 318
.png)
Послать статью по эл. почте 